Verfahren zum Bonden Zweier Substrate
EP2115768
Art B1
14. November 2012
Anmelder: Soitec, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2115768
- Aktenzeichen
- EP07847300
- Anmeldetag
- 23. November 2007
- Veröffentlichung
- 14. November 2012
- Erteilung
- 14. November 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes