Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit einem Örtlich mit einem Metall Kombinierten Halbleiter-Gate
EP2115769
Art B1
16. März 2011
Anmelder: STMicroelectronics Crolles 2 SAS, STMicroeletronics Crolles 2 SAS, NXP B.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2115769
- Aktenzeichen
- EP08701406
- Anmeldetag
- 10. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 16. März 2011
- Erteilung
- 16. März 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Crolles 2 SAS
STMicroeletronics Crolles 2 SAS
NXP B.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
1.230
Patente gesamt
32
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte