Mikroelektronische Anordnung mit Verbesserter Isolierungsspannungsleistung und Verfahren zur Bildung davon
EP2115771
Art A2
11. November 2009
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2115771
- Aktenzeichen
- EP08729114
- Anmeldetag
- 6. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 11. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/761
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
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24
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10
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse