Source-Drain-Stressor und Verfahren dafür
EP2115778
Art A1
11. November 2009
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2115778
- Aktenzeichen
- EP08729512
- Anmeldetag
- 11. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 11. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse