Freistehendes Gruppe-III-Nitrid-Einkristallsubstrat und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das das Substrat einsetzt

EP2116636 Art B1 10. Juni 2020

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2116636
Aktenzeichen: EP09005378
Anmeldetag: 15. April 2009
Veröffentlichung: 10. Juni 2020
Erteilung: 10. Juni 2020
Rechtsraum: EP
IPC: C30B9/12C30B29/40C30B19/02C30B25/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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