Material zur Bildung eines Siliziumhaltigen Films, und Siliziumhaltige Isolierfilm und Verfahren zu dessen Bildung
EP2123658
Art A1
25. November 2009
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2123658
- Aktenzeichen
- EP08711128
- Anmeldetag
- 12. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 25. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C07F7/18C09D5/25C09D183/06C23C16/42H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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