Verfahren zur Bildung einer Quantentopfstruktur und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterelements
EP2124266
Art B1
22. September 2010
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2124266
- Aktenzeichen
- EP09005065
- Anmeldetag
- 6. April 2009
- Veröffentlichung
- 22. September 2010
- Erteilung
- 22. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01S5/343H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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