Verfahren zur Herstellung eines Elektrischen Schaltkreises auf Dünnen Kunststofffilmen

EP2127506 Art B1 16. Mai 2012

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2127506
Aktenzeichen
EP08754836
Anmeldetag
29. Februar 2008
Veröffentlichung
16. Mai 2012
Erteilung
16. Mai 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H05K3/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Raytheon Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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