Verfahren zur Herstellung von III-Nitrid-Kristall, III-Nitrid-Kristall-Substrat und Halbleitervorrichtung

EP2128309 Art A1 2. Dezember 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2128309
Aktenzeichen: EP09160083
Anmeldetag: 13. Mai 2009
Veröffentlichung: 2. Dezember 2009
Rechtsraum: EP
IPC: C30B19/02C30B19/12C30B25/20C30B29/40C30B9/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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