Elektronisches Dünnfilmbaulelement und dessen Herstellungsverfahren

EP2128902 Art A3 6. Januar 2010

Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2128902
Aktenzeichen: EP09168457
Anmeldetag: 15. Dezember 2004
Veröffentlichung: 6. Januar 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417H01L51/05H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Palo Alto Research Center Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

858 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von