Kondensatorlose Schwebende Flüchtige Speicherzelle mit einem Passtransistor und einem Vertikalen Lese-/schreibfreigabetransistor sowie Herstellungs- und Programmierverfahren dafür
EP2130228
Art A1
9. Dezember 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2130228
- Aktenzeichen
- EP08730376
- Anmeldetag
- 21. Februar 2008
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L29/78G11C11/401H01L21/762H01L27/07
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Kanzlei
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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