Galliumnitrid-Epitaxialwafer und Verfahren zum Herstellen eines Galliumnitrid-Halbleiterleuchtbauelements

EP2131388 Art A1 9. Dezember 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2131388
Aktenzeichen: EP08711671
Anmeldetag: 20. Februar 2008
Veröffentlichung: 9. Dezember 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/16H01L33/32H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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