Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2131394
Art A1
9. Dezember 2009
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2131394
- Aktenzeichen
- EP09161307
- Anmeldetag
- 28. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/60H01L23/538G06K19/077H05K3/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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