Halbleiteranordnung mit isolierendem Gate und Verfahren zu deren Herstellung

EP2131399 Art A3 30. Dezember 2009

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2131399
Aktenzeichen: EP09006857
Anmeldetag: 20. Mai 2009
Veröffentlichung: 30. Dezember 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/423H01L27/088H01L21/336H01L21/8234

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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