Herstellungsverfahren von einem SOI-Transistor mit selbstjustierter Grundplatte und Gate und mit einer vergrabenen Oxidschicht mit veränderlicher Dicke
EP2133919
Art B1
12. Januar 2011
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, Commissariat à l'Energie Atomique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2133919
- Aktenzeichen
- EP09162258
- Anmeldetag
- 9. Juni 2009
- Veröffentlichung
- 12. Januar 2011
- Erteilung
- 12. Januar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Commissariat à l'Energie Atomique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
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