Halbleiterspeichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

EP2136398 Art A1 23. Dezember 2009

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2136398
Aktenzeichen
EP08739821
Anmeldetag
3. April 2008
Veröffentlichung
23. Dezember 2009
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8247H01L27/115// H01L29/788H01L29/792H01L21/822H01L27/06H01L27/105
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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