Finfet mit Zwei Unabhängigen Gates und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2137760
Art A1
30. Dezember 2009
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2137760
- Aktenzeichen
- EP08717478
- Anmeldetag
- 6. März 2008
- Veröffentlichung
- 30. Dezember 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Eisenführ, Speiser & Partner
Eisenführ, Speiser & Partner · Bremen