Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Verfahren zu Ihrer Herstellung

EP2139052 Art B1 21. November 2018

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2139052
Aktenzeichen
EP08740273
Anmeldetag
11. April 2008
Veröffentlichung
21. November 2018
Erteilung
21. November 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/00H01L33/40// H01L33/30H01L33/38H01L33/46
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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