Feldeffekttransistor mit Ausgedehntem Drain und Versenktem Gate und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2140495
Art B1
8. November 2017
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2140495
- Aktenzeichen
- EP08719651
- Anmeldetag
- 12. März 2008
- Veröffentlichung
- 8. November 2017
- Erteilung
- 8. November 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank