Elektronischer Schaltkreis mit einem MOS-Transistor in Diodenschaltung mit verbessertem Wirkungsgrad
EP2141741
Art A3
15. August 2012
Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS, Université de Provence (Aix-Marseille 1) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2141741
- Aktenzeichen
- EP09164596
- Anmeldetag
- 3. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 15. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/08H01L21/761H01L29/861H01L29/78H02M7/217H02M3/07
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Rousset) SAS
Université de Provence (Aix-Marseille 1) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
STMicroelectronics (Rousset)
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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