RAM-Widerstandsspeicher mit Oxidschicht und Festelektrolytschicht sowie Verfahren zum Betrieb desselben
EP2141753
Art A3
12. September 2012
Anmelder: Gwangju Institute of Science and Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2141753
- Aktenzeichen
- EP09164520
- Anmeldetag
- 3. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 12. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Gwangju Institute of Science and Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Gwangju Institute of Science and Technology
Das Gwangju Institute of Science and Technology ist eine staatliche technische Hochschule in Südkorea mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt durch Mess- und Prüftechnik sowie organische Chemie. Anmeldungen reichen von 2004 bis in die Gegenwart.
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Capasso, Olga
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