Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls

EP2142686 Art B1 12. Dezember 2018

Anmelder: Topsil GlobalWafers A/S, Topsil Semiconductor Materials A/S 🇩🇰

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2142686
Aktenzeichen
EP07722699
Anmeldetag
13. April 2007
Veröffentlichung
12. Dezember 2018
Erteilung
12. Dezember 2018
Rechtsraum
EP
IPC
C30B13/26C30B13/32C30B29/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Topsil GlobalWafers A/S
Topsil Semiconductor Materials A/S
Land
🇩🇰 Dänemark
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