Halbleiterstruktur mit mehreren Rückbarrierenschichten für Verbesserte Trägereingrenzung
EP2143143
Art A1
13. Januar 2010
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2143143
- Aktenzeichen
- EP08732744
- Anmeldetag
- 24. März 2008
- Veröffentlichung
- 13. Januar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Richardson, Julie Kate
London, Großbritannien
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