Herstellungsverfahren von einem Group III Nitrid Kristall

EP2145987 Art B1 20. November 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2145987
Aktenzeichen: EP09012712
Anmeldetag: 4. Dezember 2006
Veröffentlichung: 20. November 2013
Erteilung: 20. November 2013
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/30C23C16/44C23C16/448C30B23/02C30B25/02C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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