Nicht Flüchtige Speicherzelle mit einem Nanodraht und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP2147461
Art A1
27. Januar 2010
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2147461
- Aktenzeichen
- EP08737899
- Anmeldetag
- 17. April 2008
- Veröffentlichung
- 27. Januar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L21/8246H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792G11C16/04H01L29/423H01L29/06H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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