Apparat für Abscheidungen aus der Gas-Phase, Abscheidungsverfahren und Herstellungsverfahren von Halbleiterbauelement
EP2147987
Art A1
27. Januar 2010
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2147987
- Aktenzeichen
- EP09008908
- Anmeldetag
- 8. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 27. Januar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München