Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2148365 Art A3 1. Mai 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2148365
Aktenzeichen: EP09164841
Anmeldetag: 8. Juli 2009
Veröffentlichung: 1. Mai 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/98H01L25/065H05K3/20H05K3/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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