Bidirektionaler Dünnschichtaktuator aus Formgedächtnislegierung und Verfahren zur Herstellung der für den Aktuator Verwendeten Dünnschicht aus einer Formgedächtnislegierung
EP2149704
Art A1
3. Februar 2010
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2149704
- Aktenzeichen
- EP08752297
- Anmeldetag
- 1. Mai 2008
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- F03G7/06B81B3/00C22C14/00C23C14/14C23C14/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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Vertreten von
Hall, Matthew Benjamin
London, Großbritannien
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