Ersatz-Metall-Gate-Transistoren mit reduzierter Gateoxid-Leckage
EP2149908
Art B1
19. Oktober 2011
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2149908
- Aktenzeichen
- EP09176535
- Anmeldetag
- 2. November 2006
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2011
- Erteilung
- 19. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/49H01L29/51H01L21/28// H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Brookes IP
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Brookes Batchellor LLP
Brookes Batchellor LLP · London