Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2149909
Art A1
3. Februar 2010
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2149909
- Aktenzeichen
- EP08703573
- Anmeldetag
- 21. Januar 2008
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336H01L21/8234H01L27/08H01L27/088
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
22.799 Patente in unserer Datenbank