Feldeffekttransistor mit einem Kanal mit einem Oxidhalbleitermaterial mit Indium und Zink
EP2149910
Art B1
10. April 2019
Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2149910
- Aktenzeichen
- EP08018836
- Anmeldetag
- 5. September 2006
- Veröffentlichung
- 10. April 2019
- Erteilung
- 10. April 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Canon Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Canon
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Weser, Thilo
München, Deutschland
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