Feldeffekttransistor mit einem Kanal mit einem Oxidhalbleitermaterial mit Indium und Zink
EP2149911
Art A3
25. Juli 2012
Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2149911
- Aktenzeichen
- EP08018837
- Anmeldetag
- 5. September 2006
- Veröffentlichung
- 25. Juli 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Canon Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Canon
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.
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München, Deutschland
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