Nichtflüchtige Mehrniveau-Speicherzellen mit von Referenzzellen Gelesenen Daten
EP2153444
Art B1
1. Januar 2014
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2153444
- Aktenzeichen
- EP08742935
- Anmeldetag
- 16. April 2008
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2014
- Erteilung
- 1. Januar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/34G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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