Verfahren zur Herstellung Hybrider Bauteile
EP2153462
Art B1
1. August 2018
Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, Commissariat à l'Energie Atomique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2153462
- Aktenzeichen
- EP08760680
- Anmeldetag
- 6. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 1. August 2018
- Erteilung
- 1. August 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/84
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Commissariat à l'Energie Atomique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
2.520
Patente gesamt
34
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte