Verfahren zu Herstellung eines Halbleiterkristalls aus einem Nitrid eines Elements der Gruppe Iii, aus einem Nitrid eines Elements der Gruppe Iii Hergestelltes Halbleitersubstrat und Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
EP2154272
Art A1
17. Februar 2010
Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation, Mitsubishi Rayon Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2154272
- Aktenzeichen
- EP08764307
- Anmeldetag
- 16. Mai 2008
- Veröffentlichung
- 17. Februar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C30B25/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mitsubishi Chemical Corporation
Mitsubishi Rayon Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.
2.926 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Mitsubishi Rayon
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Kohlenstofffasern und Kunststoffe, seit 2017 als Mitsubishi Chemical firmierend.
341 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Naylor, Matthew John
London, Großbritannien
1.221
Patente gesamt
34
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ter Meer Steinmeister & Partner
Ter Meer Steinmeister & Partner · München