Hochtemperatur-Bindungszusammensetzung, Substratbindungsverfahren und 3-D-Halbleitervorrichtung
EP2154708
Art B1
26. Juli 2017
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2154708
- Aktenzeichen
- EP09009945
- Anmeldetag
- 31. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 26. Juli 2017
- Erteilung
- 26. Juli 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/18C08G77/50C08G77/52C08G77/54C09J183/14H01L21/58H01L21/60H01L21/98H01L23/29
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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