Verfahren zur Herstellung von schichtgebundenem Gruppe III-Nitridhalbleitersubstrat

EP2154709 Art B1 21. September 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2154709
Aktenzeichen: EP09166067
Anmeldetag: 22. Juli 2009
Veröffentlichung: 21. September 2011
Erteilung: 21. September 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/18// H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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