Substratverbindungsverfahren und 3-D-Halbleitervorrichtung
EP2154710
Art B1
16. November 2016
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2154710
- Aktenzeichen
- EP09009944
- Anmeldetag
- 31. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 16. November 2016
- Erteilung
- 16. November 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/07H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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