Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

EP2154719 Art A2 17. Februar 2010

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2154719
Aktenzeichen: EP09013908
Anmeldetag: 11. Februar 2000
Veröffentlichung: 17. Februar 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L21/77G02F1/1362

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von