Atomlagenabscheidungsverfahren, Verfahren zur Bildung von Dielektrischen Materialien, Verfahren zur Bildung von Kondensatoren und Verfahren zur Bildung von Dram-Einheitszellen
EP2155925
Art A1
24. Februar 2010
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2155925
- Aktenzeichen
- EP08745288
- Anmeldetag
- 8. April 2008
- Veröffentlichung
- 24. Februar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
Anmelder-Länder
Schwerpunkte