Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem Cvd-Reaktor

EP2155926 Art B1 1. September 2010

Anmelder: AIXTRON AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2155926
Aktenzeichen
EP08760431
Anmeldetag
3. Juni 2008
Veröffentlichung
1. September 2010
Erteilung
1. September 2010
Rechtsraum
EP
IPC
C23C16/458C23C16/46C30B25/10C30B25/16
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
AIXTRON AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Aixtron

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

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