Monolithisches Integrationsverfahren von pseudomorphen resonanten Tunneldioden (RITD) und Transistor auf der Basis von III-V-Materialien

EP2157613 Art B1 9. Oktober 2019

Anmelder: OMMIC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2157613
Aktenzeichen
EP08290791
Anmeldetag
20. August 2008
Veröffentlichung
9. Oktober 2019
Erteilung
9. Oktober 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/88H01L29/778H01L27/06H01L29/205H01L29/08H01L29/20H01L21/20// H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
OMMIC
Land
🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Radault, Gabrielle Paris, Frankreich
97
Patente gesamt
27
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Verpackungs- & Fördertechnik Hochbau & Gebäudetechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Verfahrens- & Trenntechnik Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
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