Programmierung eines Speichers mit Unterschiedlichen Bits pro Zelle

EP2158543 Art B1 15. Mai 2013

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2158543
Aktenzeichen
EP08770624
Anmeldetag
11. Juni 2008
Veröffentlichung
15. Mai 2013
Erteilung
15. Mai 2013
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/56
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen