Oxid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

EP2159845 Art B1 29. Mai 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2159845
Aktenzeichen: EP09168533
Anmeldetag: 25. August 2009
Veröffentlichung: 29. Mai 2013
Erteilung: 29. Mai 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/49H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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