Verfahren zur Selektiven Bildung Asymmetrischer Strukturelemente unter Verwendung einer Symmetrischen Photomaske Während der Herstellung einer Halbleiteranordnung
EP2160754
Art B1
6. November 2013
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2160754
- Aktenzeichen
- EP08767988
- Anmeldetag
- 30. Mai 2008
- Veröffentlichung
- 6. November 2013
- Erteilung
- 6. November 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311H01L21/033
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
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Collins, John David
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