Verfahren zur Herstellung eines lokal passivierten Germanium-on-Insulator-Substrats
EP2161742
Art A1
10. März 2010
Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A., Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies, Commissariat A L'Energie Atomique - CEA 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2161742
- Aktenzeichen
- EP08290827
- Anmeldetag
- 3. September 2008
- Veröffentlichung
- 10. März 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A.
Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies
Commissariat A L'Energie Atomique - CEA - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank