Verfahren zur Herstellung einer optischen Nitrid-Halbleitervorrichtung und Epitaxialwafer

EP2161764 Art A3 5. Juni 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2161764
Aktenzeichen: EP09167757
Anmeldetag: 13. August 2009
Veröffentlichung: 5. Juni 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L33/00H01L33/06H01L33/16H01S5/32H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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