Erweiterter Drain-Transistor und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2162903
Art A1
17. März 2010
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2162903
- Aktenzeichen
- EP08763384
- Anmeldetag
- 19. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 17. März 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L29/08H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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