Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle, die ein Selektiv Abgeschiedenes Umkehrbares Widerstandsschaltelement Verwendet
EP2162916
Art B1
20. März 2013
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3D LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2162916
- Aktenzeichen
- EP08779800
- Anmeldetag
- 27. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 20. März 2013
- Erteilung
- 20. März 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/822H01L27/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Sandisk 3D LLC - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
308 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hitchcock, Esmond Antony
London, Großbritannien
700
Patente gesamt
32
Fachgebiete
20
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Schwerpunkte