Verfahren zum Abscheiden einer Si-haltigen Schicht, Isolierschicht und Halbleitervorrichtung
EP2163664
Art A1
17. März 2010
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2163664
- Aktenzeichen
- EP09010938
- Anmeldetag
- 26. August 2009
- Veröffentlichung
- 17. März 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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